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IKW50N60TFKSA1

更新时间： 2024-02-09 21:22:01

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	595K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IKW50N60TFKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	10 weeks 5 days	风险等级：	1.56
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	80 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	396 ns
标称接通时间 (ton)：	60 ns	Base Number Matches：	1

IKW50N60TFKSA1 数据手册

IKW50N60T

TRENCHSTOP™ Series

Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft,

fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode

Features:



Very low V_CE(sat)1.5V (typ.)

Maximum Junction Temperature 175°C

Short circuit withstand time 5s

Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterrupted Power Supply



TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- very high switching speed



Positive temperature coefficient in V_CE(sat)

Low EMI

Low Gate Charge

Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

PG-TO247-3

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

T_j,max

Marking

Package

IKW50N60T

600V

50A

1.5V

K50T60

PG-TO247-3

175C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_{C E}

600

Collector-emitter voltage, T_j≥ 25C

DC collector current, limited by T_jmax

T_C= 25C

80²⁾

I_C

T_C= 100C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{C p u l s}

150

Turn off safe operating area, V_CE= 600V, T_j= 175C, t_p= 1µs

Diode forward current, limited by T_jmax

T_C= 25C

100

I_F

T_C= 100C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

I_{F p u l s}

V_{G E}

150

Gate-emitter voltage

Short circuit withstand time³⁾

20

t_{S C}

s

V_GE= 15V, V_CC 400V, T_j 150C

Power dissipation T_C= 25C

P_{t o t}

T_j

333

Operating junction temperature

Storage temperature

-40...+175

-55...+150

260

T_{s t g}

C

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

¹J-STD-020 and JESD-022

²⁾Value limited by bond wire

³⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.6 20.09.2013

IFAG IPC TD VLS

12 3 4 5 6 7...13

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