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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 2.11 | JESD-609代码： | e3 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IKW50N65RH5 | INFINEON |
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IGBT TRENCHSTOP™ 5;Silicon Carbide Schottky D |
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| IKW50N65SS5 | INFINEON |
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Silicon Carbide Schottky Diode;IGBT TRENCHSTO |
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| IKW50N65WR5 | INFINEON |
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Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
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| IKW50N65WR5_15 | INFINEON |
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Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
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| IKW60N60H3 | INFINEON |
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IGBT HighSpeed 3 |
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| IKW75N120CH7 | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT7 |
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| IKW75N60H3 | INFINEON |
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IGBT HighSpeed 3 |
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| IKW75N60T | INFINEON |
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Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-p |
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| IKW75N60T_08 | INFINEON |
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Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology |
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| IKW75N60TA | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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