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IKW75N60T

更新时间： 2024-02-18 13:40:45

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	411K
描述
Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

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IKW75N60T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	20 weeks
风险等级：	5.68	其他特性：	HIGH SWITCHING SPEED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	80 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	401 ns	标称接通时间 (ton)：	69 ns
Base Number Matches：	1

IKW75N60T 数据手册

IKW75N60T

TrenchStop Series

Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology

with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

•

Very low V_CE(sat)1.5 V (typ.)

Maximum Junction Temperature 175 °C

Short circuit withstand time – 5µs

Positive temperature coefficient in V_CE(sat)

very tight parameter distribution

high ruggedness, temperature stable behaviour

very high switching speed

Low EMI

PG-TO-247-3-21

Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

•

Frequency Converters

Uninterrupted Power Supply

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}T_j,max

1.5V

Marking

Package

IKW75N60T

600V

75A

K75T60

PG-TO-247-3-21

175°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current, limited by T_jmax

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

80²⁾

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

I_F

225

Turn off safe operating area (V_CE≤ 600V, T_j≤ 175°C)

Diode forward current, limited by T_jmax

T_C= 25°C

80²⁾

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

Gate-emitter voltage

I_{Fpul s}

V_{G E}

t_SC

225

±20

Short circuit withstand time³⁾

µs

V_GE= 15V, V_CC≤ 400V, T_j≤ 150°C

P_{t ot}

T_j

T_stg

428

Power dissipation T_C= 25°C

Operating junction temperature

Storage temperature

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

-40...+175

-55...+175

260

°C

¹⁾J-STD-020 and JESD-022

²⁾Value limited by bondwire

³⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.4 May 06

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...13

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IKW75N60T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FGH40N60SMD	FAIRCHILD	功能相似	Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB, ROHS COMP

与IKW75N60T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IKW75N60T_08	INFINEON	获取价格	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IKW75N60TA	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IKW75N65EH5	INFINEON	获取价格	IGBT单管
IKW75N65EL5	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™ 5
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IKW75N65RH5	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™ 5;Silicon Carbide Schottky D
IKW75N65SS5	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™ 5;Silicon Carbide Schottky D
IKWH100N65EH7	INFINEON	获取价格	Hard-switching 650 V, 100 A?TRENCHSTOP? IGBT7?H7?discrete?in TO-247-3 High Creepage Cleara

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