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FGH40N60SMD PDF预览

FGH40N60SMD

更新时间： 2024-01-27 11:37:57
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 827K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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FGH40N60SMD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：80 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：17 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：349 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：28 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：132 ns标称接通时间 (ton)：37 ns
Base Number Matches：1

FGH40N60SMD 数据手册

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November 2013  
FGH40N60SMD  
600 V, 40 A Field Stop IGBT  
Features  
General Description  
o
•
•
•
•
•
•
•
•
Maximum Junction Temperature : T = 175 C  
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of  
J
nd  
field stop 2 generation IGBTs offer the optimum performance  
Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operating  
High Current Capability  
for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applica-  
tions where low conduction and switching losses are essential.  
Low Saturation Voltage: V  
High Input Impedance  
= 1.9 V(Typ.) @ I = 40 A  
C
CE(sat)  
Fast Switching: E  
= 6.5 uJ/A  
OFF  
Tighten Parameter Distribution  
RoHS Compliant  
Applications  
•
Solar Inverter, UPS, Welder, PFC, Telecom, ESS  
C
E
C
G
G
COLLECTOR  
(FLANGE)  
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Description  
Ratings  
600  
Unit  
V
V
V
Collector to Emitter Voltage  
CES  
Gate to Emitter Voltage  
20  
V
GES  
Transient Gate to Emitter Voltage  
Collector Current  
30  
V
o
@ T = 25 C  
80  
A
C
I
C
o
Collector Current  
@ T = 100 C  
40  
A
C
o
I
I
Pulsed Collector Current  
Diode Forward Current  
@ T = 25 C  
120  
A
CM (1)  
C
o
@ T = 25 C  
40  
A
C
F
o
Diode Forward Current  
@ T = 100 C  
20  
A
C
I
Pulsed Diode Maximum Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
120  
A
FM (1)  
o
@ T = 25 C  
349  
W
W
C
P
D
o
@ T = 100 C  
174  
C
o
T
T
-55 to +175  
-55 to +175  
C
J
o
C
stg  
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
o
T
300  
C
L
Notes:  
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGH40N60SMD Rev. C1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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FGH40N60SMD 替代型号

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 		High Current Capability
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 		DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION
FGH40N60UFTU FAIRCHILD

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 		600 V, 40 A Field Stop IGBT

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