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SGH80N60UFDTU PDF预览

SGH80N60UFDTU

更新时间： 2024-01-01 06:45:08
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 701K
描述
Ultrafast IGBT

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SGH80N60UFDTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：TO-3P, 3 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
最大集电极电流 (IC)：80 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT APPLICABLE
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：310 ns
标称接通时间 (ton)：85 nsBase Number Matches：1

SGH80N60UFDTU 数据手册

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IGBT  
SGH80N60UFD  
Ultrafast IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provides low conduction and switching losses.  
The UFD series is designed for applications such as motor  
control and general inverters where high speed switching is  
a required feature.  
•
•
•
•
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.1 V @ I = 40A  
CE(sat)  
C
CO-PAK, IGBT with FRD : t = 50ns (typ.)  
rr  
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
E
G
TO-3PN  
G
C
E
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGH80N60UFD  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
600  
± 20  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
80  
A
C
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
40  
A
C
I
I
I
Pulsed Collector Current  
220  
A
CM (1)  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes,/8” from Case for 5 Seconds  
@ T = 100°C  
25  
A
F
C
280  
A
FM  
P
@ T  
=
25°C  
195  
W
W
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
78  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
(IGBT)  
0.64  
0.83  
40  
θJC  
θJC  
θJA  
(DIODE)  
--  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGH80N60UFD Rev. B1  
12345678

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SGH80N60UFDTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FGH40N60SMD FAIRCHILD

功能相似

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB, ROHS COMP

与SGH80N60UFDTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		为了符合多种设备的高密度电路板的设计，GHD连接器设计成1.25mm间距，双排型的连接器。
SGHD-003GA-P0.2 JST

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 		为满足平板电视、影音设备等PC板高密度封装的要求，该连接器设计成1.25mm间距的双排式。
SGHD-003T-C0.2A JST

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