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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 8.51 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 80 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 100 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 290 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 190 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 110 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGH40N60UFTU-SN00007 | FAIRCHILD |
获取价格 |
DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION |
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| FGH40N65UFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
650V, 40A Field Stop IGBT |
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| FGH40N65UFDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
650V, 40A Field Stop IGBT |
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| FGH40N65UFDTU | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650V，40A，1.8V，TO-247，低 VCE(ON) 场截止 |
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| FGH40N65UFDTU-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650V，40A，1.8V，TO-247，场截止 |
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| FGH40N6S2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, SMPS II Series N-Channel IGBT |
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| FGH40N6S2D | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
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| FGH40N6S2D_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, LEAD FREE P |
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| FGH40T100SMD | ONSEMI |
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IGBT，1000 V，40A，场截止沟槽 |
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| FGH40T100SMD | FAIRCHILD |
获取价格 |
1000V, 40A Field Stop Trench IGBT |
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