5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FGH40T65SPD-F085
FGH40T65SPD-F085 PDF预览

FGH40T65SPD-F085

更新时间： 2024-10-02 11:14:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网双极性晶体管功率控制
页数 文件大小 规格书
10页 3128K
描述
IGBT，650 V，40A，场截止沟槽

阅读下载

中文翻译

获取价格

FGH40T65SPD-F085 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：1.08其他特性：RC-IGBT
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：80 A
集电极-发射极最大电压：650 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：7.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：267 W参考标准：AEC-Q101
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：48 ns
标称接通时间 (ton)：56 nsVCEsat-Max：2.4 V
Base Number Matches：1

FGH40T65SPD-F085 数据手册

 浏览型号FGH40T65SPD-F085的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FGH40T65SPD-F085的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FGH40T65SPD-F085的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FGH40T65SPD-F085的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FGH40T65SPD-F085的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FGH40T65SPD-F085的Datasheet PDF文件第7页 
IGBT - Field Stop, Trench  
650 V, 40 A  
FGH40T65SPD-F085  
Description  
rd  
Using the novel field stop 3 generation IGBT technology,  
FGH40T65SPD−F085 offers the optimum performance with both low  
conduction loss and switching loss for a high efficiency operation  
in various applications, which provides 50 V higher blocking voltage  
and rugged high current switching reliability.  
www.onsemi.com  
V
CES  
E
on  
V
CE(Sat)  
Meanwhile, this part also offers and advantage of outstanding  
performance in parallel operation.  
650 V  
1.16 mJ  
1.85 V  
Features  
C
• Low Saturation Voltage: V  
= 1.85 V (Typ.) @ I = 40 A  
C
CE(Sat)  
• 100% Of The Part Are Dynamically Tested (Note 1)  
• Short Circuit Ruggedness > 5 mS @ 25°C  
G
• Maximum Junction Temperature: T = 175°C  
J
• Fast Switching  
E
• Tight Parameter Distribution  
• Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operating  
• Co−Packed With Soft And Fast Recovery Diode  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant  
E
C
G
COLLECTOR  
(FLANGE)  
Applications  
• On−board Charger  
TO−247−3LD  
CASE 340CK  
• Air Conditioner Compressor  
• PTC Heater  
MARKING DIAGRAM  
• Motor Drivers  
• Other Automotive Power−Train Applications  
$Y&Z&3&K  
FGH40T65  
SPD  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= 3−Digit Data code  
= 2−Digit Lot Traceability code  
= Specific Device Code  
FGH40T65SPD  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
FGH40T65SPD−F085/D  
February, 2021 − Rev. 3  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与FGH40T65SPD-F085相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FGH40T65SPD-F155 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，650V，40A，场截止沟槽
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，650 V，40A，场截止沟槽
FGH40T65UPD FAIRCHILD

获取价格

 		650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
FGH40T65UPD ONSEMI

获取价格

 		650V，40A，场截止沟道 IGBT
FGH40T65UQDF-F155 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，650 V，40A，场截止沟槽
FGH40T70SHD FAIRCHILD

获取价格

 		700 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
FGH40T70SHD_F155 FAIRCHILD

获取价格

 		700 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
FGH40T70SHD-F155 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，700 V，40A，场截止沟槽
FGH4L40T120LQD ONSEMI

获取价格

 		IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
FGH4L50T65MQDC50 ONSEMI

获取价格

 		650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode

与FGH40T65SPD-F085相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证