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FGH50N6S2D

更新时间： 2024-10-02 11:15:39

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网栅双极性晶体管功率控制
页数	文件大小	规格书
11页	396K
描述
600V，SMPS II IGBT

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FGH50N6S2D 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	7.03
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	180 ns
标称接通时间 (ton)：	28 ns	Base Number Matches：	1

FGH50N6S2D 数据手册

IGBT - SMPS II Series

N-Channel with

Anti-Parallel Stealth Diode

600 V

FGH50N6S2D

www.onsemi.com

Description

The FGH50N6S2D is a Low Gate Charge, Low Plateau Voltage

SMPS II IGBT combining the fast switching speed of the SMPS

IGBTs along with lower gate charge, plateau voltage and avalanche

capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce

the power requirement of the gate drive. These devices are ideally

suited for high voltage switched mode power supply applications

where low conduction loss, fast switching times and UIS capability are

essential. SMPS II LGC devices have been specially designed for:

• Power Factor Correction (PFC) Circuits

• Full Bridge Topologies

• Half Bridge Topologies

• Push−Pull Circuits

• Uninterruptible Power Supplies

• Zero Voltage and Zero Current Switching Circuits

Features

TO−247−3LD

CASE 340CK

• 100 kHz Operation at 390 V, 40 A

• 200 kHz Operation at 390 V, 25 A

• 600 V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time

• Low Gate Charge

• Low Plateau Voltage

• UIS Rated

90 ns at T = 125°C

MARKING DIAGRAM

70 nC at V = 15 V

6.5 V Typical

480 mJ

$Y&Z&3&K

50N6S2D

• Low Conduction Loss

• This is a Pb−Free Device

= ON Semiconductor Logo

= Assembly Plant Code

= Numeric Date Code

= Lot Code

50N6S2D

= Specific Device Code

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 2 of

this data sheet.

Publication Order Number:

November, 2020 − Rev. 1

FGH50N6S2D/D

12 3 4 5 6 7...11

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FGH50N6S2D 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HGTG30N60A4	ONSEMI	完全替代	IGBT，600V，SMPS
HGTG30N60A4D	ONSEMI	完全替代	600V，SMPS IGBT
HGTG20N60A4D	ONSEMI	类似代替	600V，SMPS IGBT

与FGH50N6S2D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FGH50N6S2D_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
FGH50T65SQD-F155	ONSEMI	获取价格	IGBT，650V，50A，场截止 4 沟槽
FGH50T65UPD	FAIRCHILD	获取价格	650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT
FGH50T65UPD	ONSEMI	获取价格	650V，50A，场截止沟槽 IGBT
FGH60N60SF	FAIRCHILD	获取价格	600V, 60A Field Stop IGBT
FGH60N60SFD	FAIRCHILD	获取价格	600V, 60A Field Stop IGBT
FGH60N60SFDTU	FAIRCHILD	获取价格	600V, 60A Field Stop IGBT
FGH60N60SFDTU	ONSEMI	获取价格	IGBT，场截止，600V，60A
FGH60N60SFDTU-F085	ONSEMI	获取价格	IGBT，600V，60A，2.2V，TO-247，高速场截止
FGH60N60SFTU	FAIRCHILD	获取价格	600V, 60A Field Stop IGBT

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