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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.66 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 1057664 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor IGBT | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | TO?247?3LD CASE 340CK ISSUE O | Samacsys Released Date： | 2018-01-17 17:21:13 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 120 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 68 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 600 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 70 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 163 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 59 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGH60N60SMD-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，600V，60A，1.8V，TO-247 场截止 |
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| FGH60N60SMMF | MICROSS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FGH60N60SMMW | MICROSS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FGH60N60UFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, 60A Field Stop IGBT |
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| FGH60N60UFDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, 60A Field Stop IGBT |
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| FGH60N60UFDTU | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650V，20A，1.8V，TO-247，低 VCE(ON)，场截止 |
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| FGH60N60UFDTU-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，600V，60A，1.8V，TO-247 场截止 |
|
| FGH60N6S2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, SMPS II Series N-Channel IGBT |
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| FGH60T65SHD-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650V，60A，场截止沟槽 |
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| FGH60T65SQD-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650V，60A，场截止沟槽 |
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