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FGH60N60SFDTU PDF预览

FGH60N60SFDTU

更新时间： 2024-10-02 11:10:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网栅瞄准线双极性晶体管功率控制
页数 文件大小 规格书
9页 393K
描述
IGBT，场截止，600V，60A

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FGH60N60SFDTU 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.35其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：120 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：62 ns门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：378 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：187 ns标称接通时间 (ton)：66 ns
Base Number Matches：1

FGH60N60SFDTU 数据手册

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IGBT - Field Stop  
600 V, 60 A  
FGH60N60SFD  
Description  
Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s field  
stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS,  
welder and PFC applications where low conduction and switching  
losses are essential.  
www.onsemi.com  
C
Features  
• High Current Capability  
• Low Saturation Voltage: V  
• High Input Impedance  
• Fast Switching  
= 2.3 V @ I = 60 A  
C
CE(sat)  
G
E
E
• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant  
Applications  
C
G
• Solar Inverter, UPS, Welder, PFC  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
TO−247−3LD  
CASE 340CK  
MARKING DIAGRAM  
$Y&Z&3&K  
FGH60N60  
SFD  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
FGH60N60SFD= Specific Device Code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
February, 2020 − Rev. 2  
FGH60N60SFD/D  
1234567...9

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与FGH60N60SFDTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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