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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-247, 3 PIN | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 10 weeks | 风险等级： | 0.79 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 463 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 162 ns | 标称接通时间 (ton)： | 32 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGH50N6S2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, SMPS II Series N-Channel IGBT |
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| FGH50N6S2_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 P |
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| FGH50N6S2D | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
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| FGH50N6S2D | ONSEMI |
获取价格 |
600V，SMPS II IGBT |
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| FGH50N6S2D_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
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| FGH50T65SQD-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650V，50A，场截止 4 沟槽 |
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| FGH50T65UPD | FAIRCHILD |
获取价格 |
650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT |
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| FGH50T65UPD | ONSEMI |
获取价格 |
650V，50A，场截止沟槽 IGBT |
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| FGH60N60SF | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, 60A Field Stop IGBT |
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| FGH60N60SFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, 60A Field Stop IGBT |
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