5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 5 weeks | 风险等级： | 7.09 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 80 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 650 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 22 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 7.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 268 W | 最大上升时间（tr）： | 34 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 213 ns | 标称接通时间 (ton)： | 57 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGH40T65UQDF-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650 V，40A，场截止沟槽 |
|
| FGH40T70SHD | FAIRCHILD |
获取价格 |
700 V, 40 A Field Stop Trench IGBT |
|
| FGH40T70SHD_F155 | FAIRCHILD |
获取价格 |
700 V, 40 A Field Stop Trench IGBT |
|
| FGH40T70SHD-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，700 V，40A，场截止沟槽 |
|
| FGH4L40T120LQD | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode. |
|
| FGH4L50T65MQDC50 | ONSEMI |
获取价格 |
650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode |
|
| FGH4L50T65SQD | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT - 650 V 50 A FS4 high speed IGBT with copack diode |
|
| FGH4L75T65MQDC50 | ONSEMI |
获取价格 |
650V Field stop 4th generation mid speed IGBT |
|
| FGH50N3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V, PT N-Channel IGBT |
|
| FGH50N3 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，300 V，SMPS |
|
RF5110数据手册详解：3V GSM射频功率放大器的深度分析
REF1004-1.2手册详解：引脚信息、产品描述、参数分析
晶闸管的静态特性与伏安特性详解
贴片电容的工作原理与参数识别
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
