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FGH40T100SMD

更新时间： 2024-01-10 23:30:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 1336K
描述
1000V, 40A Field Stop Trench IGBT

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FGH40T100SMD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.69最大集电极电流 (IC)：80 A
集电极-发射极最大电压：1000 V最大降落时间（tf）：30 ns
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-609代码：e3最高工作温度：175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：333 W最大上升时间（tr）：64 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FGH40T100SMD 数据手册

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February 2012  
FGH40T100SMD  
1000V, 40A Field Stop Trench IGBT  
Features  
General Description  
•
•
•
•
•
High current capability  
Using Novel Field Stop Trench IGBT Technology, Fairchild’s  
new series of Field Stop Trench IGBTs offer the optimum per-  
formance for hard switching application such as UPS, welder,  
solar applications.  
Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.9V(Typ.) @ IC = 40A  
High input impedance  
Fast switching  
RoHS compliant  
Applications  
•
UPS, welder, solar application  
•
PFC application  
E
C
C
G
G
COLLECTOR  
(FLANGE)  
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VCES  
VGES  
Description  
Ratings  
1000  
± 20  
Units  
V
Collector to Emitter Voltage  
Gate to Emitter Voltage  
Collector Current  
V
@ TC = 25oC  
@ TC = 125oC  
@ TC = 25oC  
@ TC = 25oC  
@ TC = 125oC  
@ TC = 25oC  
@ TC = 25oC  
@ TC = 125oC  
80  
A
IC  
ICM (1)  
IF  
IFM (1)  
PD  
Collector Current  
40  
A
Pulsed Collector Current  
Diode Forward Current  
120  
A
80  
A
Diode Forward Current  
40  
A
Pulsed Diode Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
120  
A
333  
W
W
oC  
oC  
111  
TJ  
-55 to +175  
-55 to +175  
Tstg  
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
oC  
TL  
300  
Notes:  
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
RqJC(IGBT)  
RqJC(Diode)  
RqJA  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Typ.  
Max.  
0.45  
0.8  
Units  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
-
-
-
40  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGH40T100SMD Rev. C2  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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与FGH40T100SMD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FGH40T100SMD-F155 ONSEMI

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 		IGBT，1000 V，40A，场截止沟槽
FGH40T120SMD MICROSS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor
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 		650 V、40 A 场截止沟道 IGBT

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