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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 5 weeks | 风险等级： | 1.44 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 80 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 7.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 25 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T4 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 555 W |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 542 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 90 ns | VCEsat-Max： | 2.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGH40T120SQDNL4 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，超场截止 |
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| FGH40T65SHD-F155 | ONSEMI |
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IGBT，650 V，40A，场截止沟槽 |
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| FGH40T65SHDF-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650 V，40A，场截止沟槽 |
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| FGH40T65SH-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
650 V、40 A 场截止沟道 IGBT |
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| FGH40T65SPD-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650 V，40A，场截止沟槽 |
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| FGH40T65SPD-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650V，40A，场截止沟槽 |
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| FGH40T65SQD-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650 V，40A，场截止沟槽 |
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| FGH40T65UPD | FAIRCHILD |
获取价格 |
650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT |
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| FGH40T65UPD | ONSEMI |
获取价格 |
650V，40A，场截止沟道 IGBT |
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| FGH40T65UQDF-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650 V，40A，场截止沟槽 |
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