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FGH40T120SMD

更新时间： 2024-02-16 08:03:26
品牌 Logo 应用领域
MICROSS 电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 1042K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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FGH40T120SMD 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：4 weeks
风险等级：0.68最大集电极电流 (IC)：80 A
集电极-发射极最大电压：1200 V门极发射器阈值电压最大值：7.5 V
门极-发射极最大电压：25 VJESD-609代码：e3
最高工作温度：175 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：555 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FGH40T120SMD 数据手册

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Field Stop Trench IGBT Chip  
FGH40T120SM  
1200V, 40A, VCE(sat) = 1.8V  
Part  
VCES  
ICn  
VCE (sat) Typ  
1.8  
Die Size  
6.66 x 6.49 mm2  
FGH40T120SM  
1200V  
40A  
See page 2 for ordering part numbers & supply formats  
Features  
Applications  
•
•
•
High Speed Switching & High Input Impedance  
Positive Temperature Coefficient  
Low Saturation Voltage  
•
•
AC & DC Motor Controls  
General Purpose Inverters  
Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
1200  
±25  
Units  
V
VCES  
Collector to Emitter Voltage  
Gate to Emitter Voltage  
VGES  
V
Transient Gate to Emitter Voltage  
±30  
IC  
Collector Current1  
Collector Current1  
Continuous (TC = 25°C)  
Continuous (TC = 100°C)  
Pulsed Collector Current  
80  
A
A
40  
ICM  
ILM  
160  
A
Clamped Inductive Load Current @ TC = 25°C  
Operation Junction & Storage Temperature  
160  
A
TJ, TSTG  
-55 to 175  
°C  
Static Characteristics, TJ = 25° unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
BVCES  
ICES  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
VGE = 0V, IC = 250 µA  
VCE = VCES , VGE = 0V  
VGE = VGES, VCE = 0V  
1200  
-
-
-
-
V
-
-
250  
±400  
µA  
nA  
IGES  
G-E Leakage Current  
On Characteristics, TJ = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
VGE(th)  
G-E Threshold Voltage  
IC = 40mA, VCE = VGE  
IC = 40A, VGE = 15V  
4.9  
6.2  
1.8  
2.0  
7.5  
2.4  
-
V
V
V
-
-
VCE(sat)  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
IC = 40A, VGE = 15V  
TC = 175°C  
Notes:  
1. Performance will vary based on assembly technique and substrate choice  
2. Defined by chip design, not subject to 100% production test at wafer level  
3. Specified in discrete package for indicative purposes only, bare die performance will vary depending on module  
design.  
Further Information - Contact your Micross sales office or email your enquiry to baredie@micross.com  
©2015 Fairchild Semiconductor Corporation & Micross Components  
1234

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与FGH40T120SMD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FGH40T120SMD_F155 FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
FGH40T120SMD-F155 ONSEMI

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 		IGBT，1200V，40A，场截止沟槽
FGH40T120SMDL4 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，1200V，25A，FS 沟槽
FGH40T120SQDNL4 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，超场截止
FGH40T65SHD-F155 ONSEMI

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 		IGBT，650 V，40A，场截止沟槽
FGH40T65SHDF-F155 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，650 V，40A，场截止沟槽
FGH40T65SH-F155 ONSEMI

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 		650 V、40 A 场截止沟道 IGBT
FGH40T65SPD-F085 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，650 V，40A，场截止沟槽
FGH40T65SPD-F155 ONSEMI

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 		IGBT，650V，40A，场截止沟槽
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI

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 		IGBT，650 V，40A，场截止沟槽

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