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FGH40N65UFDTU

更新时间： 2024-01-09 05:11:29

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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9页	724K
描述
650V, 40A Field Stop IGBT

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FGH40N65UFDTU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	4.44
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	80 A	集电极-发射极最大电压：	650 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	60 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	290 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	160 ns
标称接通时间 (ton)：	69 ns	Base Number Matches：	1

FGH40N65UFDTU 数据手册

March 2009

FGH40N65UFD

650V, 40A Field Stop IGBT

Features

General Description

•

High current capability

Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild’s new ses-

ries of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for

Solar Inverter, UPS, SMPS and PFC applications where low

conduction and switching losses are essential.

Low saturation voltage: V_CE(sat)=1.8V @ I_C= 40A

High input impedance

Fast switching

RoHS compliant

Applications

•

Solar Inverter, UPS, SMPS, PFC

COLLECTOR

(FLANGE)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Description

Ratings

650

Units

V_CES

V_GES

Collector to Emitter Voltage

Gate to Emitter Voltage

Collector Current

± 20

@ T_C= 25^oC

@ T_C= 100^oC

I_C

I_{CM (1)}

P_D

Collector Current

@ T_C= 25^oC

@ T_C= 100^oC

Pulsed Collector Current

120

Maximum Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

290

^oC

116

T_J

-55 to +150

T_stg

Maximum Lead Temp. for soldering

Purposes, 1/8” from case for 5 seconds

^oC

T_L

300

Notes:

1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

R_θJC(IGBT)

R_θJC(Diode)

R_θJA

Parameter

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Typ.

Max.

0.43

1.45

Units

^oC/W

FGH40N65UFD Rev. A1

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FGH40N65UFDTU-F085	ONSEMI	获取价格	IGBT，650V，40A，1.8V，TO-247，场截止
FGH40N6S2	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGH40N6S2D	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
FGH40N6S2D_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, LEAD FREE P
FGH40T100SMD	ONSEMI	获取价格	IGBT，1000 V，40A，场截止沟槽
FGH40T100SMD	FAIRCHILD	获取价格	1000V, 40A Field Stop Trench IGBT
FGH40T100SMD-F155	ONSEMI	获取价格	IGBT，1000 V，40A，场截止沟槽
FGH40T120SMD	MICROSS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FGH40T120SMD	ONSEMI	获取价格	IGBT，1200V，40A，场截止沟槽
FGH40T120SMD_F155	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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