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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 80 A | 集电极-发射极最大电压： | 650 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 213 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 33 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IKW50N65RH5 | INFINEON |
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IGBT TRENCHSTOP™ 5;Silicon Carbide Schottky D |
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| IKW50N65SS5 | INFINEON |
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Silicon Carbide Schottky Diode;IGBT TRENCHSTO |
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| IKW50N65WR5 | INFINEON |
获取价格 |
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
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| IKW50N65WR5_15 | INFINEON |
获取价格 |
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
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| IKW60N60H3 | INFINEON |
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IGBT HighSpeed 3 |
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| IKW75N120CH7 | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT7 |
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| IKW75N60H3 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT HighSpeed 3 |
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| IKW75N60T | INFINEON |
获取价格 |
Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-p |
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| IKW75N60T_08 | INFINEON |
获取价格 |
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology |
|
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