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IKW50N65ES5

更新时间： 2024-02-06 19:59:57

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
16页	1928K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IKW50N65ES5 技术参数

IGBT

TRENCHSTOP^TMꢀ5ꢀhighꢀSpeedꢀsoftꢀswitchingꢀIGBTꢀwithꢀfullꢀcurrentꢀratedꢀRAPIDꢀ1ꢀdiode

IKW50N65ES5

650VꢀTRENCHSTOP^TMꢀ5ꢀhighꢀspeedꢀsoftꢀswitchingꢀduopak

Dataꢀsheet

IndustrialꢀPowerꢀControl

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IKW50N65ES5XKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
IKW50N65ET7	INFINEON	获取价格	TRENCHSTOP™ IGBT7
IKW50N65F5	INFINEON	获取价格	650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation
IKW50N65F5FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IKW50N65H5	INFINEON	获取价格	650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation
IKW50N65H5AXKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
IKW50N65H5FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IKW50N65RH5	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™ 5;Silicon Carbide Schottky D
IKW50N65SS5	INFINEON	获取价格	Silicon Carbide Schottky Diode;IGBT TRENCHSTO
IKW50N65WR5	INFINEON	获取价格	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode