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HN4A06J

更新时间： 2024-09-16 11:58:59
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东芝 - TOSHIBA 放大器
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4页 284K
描述
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

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HN4A06J 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.49
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G5元件数量：2
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

HN4A06J 数据手册

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HN4A06J  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
HN4A06J  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
z High voltage : VCEO = −120V  
z High hFE : hFE = 200~700  
z Excellent hFE linearity  
: hFE (IC = −0.1mA) / hFE (IC = −2mA) = 0.95 (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
(Q1, Q2 Common)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
−120  
−120  
−5  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
−100  
−20  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
1.BASE1  
2.EMITTER  
3.BASE2  
4.COLLECTOR2 (C2)  
5.COLLECTOR1 (C1)  
(B1)  
(E)  
(B2)  
Base current  
I
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P *  
300  
C
T
j
150  
T
−55~150  
stg  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-3L1A  
Weight: 0.014g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*Total rating. Power dissipation per element should not exceed 200mW.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1,Q2 Common)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= −120V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
I
―
V
V
V
―
―
―
―
―
−0.1  
−0.1  
700  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
I
―
―
= −5V, I = 0  
C
EBO  
h
= −6V, I = −2mA  
200  
FE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
―
―
―
I
= −10mA, I = −1mA  
―
―
―
―
100  
4
−0.3  
―
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= −6V, I = −1mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= −10V, I = 0, f = 1MHz  
―
ob  
E
= 6 V, I = 0.1 mA  
C
Noise figure  
NF  
⎯
―
1.0  
―
dB  
f = 1 kHz, R = 10 kΩ  
G
Marking  
Equivalent Circuit (Top View)  
5
4
Q1  
Q2  
53  
1
2
3
1
2007-11-01  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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