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HN4B101J

更新时间： 2024-01-19 04:54:40

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东芝 - TOSHIBA		晶体 PC
页数	文件大小	规格书
6页	245K
描述
Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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HN4B101J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.52	最大集电极电流 (IC)：	1.2 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.85 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

HN4B101J 数据手册

HN4B101J

TOSHIBA Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process)

HN4B101J

MOS Gate Drive Applications

Switching Applications

Unit: mm

ꢀꢀ+0.2

2.8 -0.3

ꢀꢀ+0.2

1.6 -0.1

•

Small footprint due to a small and thin package

High DC current gain : h = 200 to 500 (I = −0.12 A)

Low collector-emitter saturation: PNP

: NPN

High-speed switching : PNP t = 45 ns (typ.)

= −0.20 V (max)

CE (sat)

= 0.17 V (max)

CE (sat)

•

: NPN t = 50 ns (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Rating

1. Base (PNP)

Characteristic

Symbol

Unit

2. Emitter (PNP/NPN)

3. Base (NPN)

PNP

NPN

4. Collector (NPN)

5. Collector (PNP)

Collector-base voltage

CBO

CEO

EBO

−30

−7

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

JEDEC

―

JEITA

DC (Note 1)

Pulse (Note 1)

−1.0

−5.0

1.2

5.0

Collector current

Base current

TOSHIBA

2-3L1A

Weight: 0.014g (typ.)

−120

120

Collector power

dissipation (t = 10 s)

Single-device

operation

(Note 2)

0.85

Collector power

dissipation (DC)

Single-device

operation

0.55

150

Junction temperature

°C

Storage temperature range

−55 to 150

stg

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C during use of the device.

Note 2: Mounted on an FR4 board (glass-epoxy; 1.6 mm thick; Cu area, 645 mm²)

Note 3: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2006-11-13

12 3 4 5 6

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