5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > HN4C06J-BL(TE85L,F)
HN4C06J-BL(TE85L,F) PDF预览

HN4C06J-BL(TE85L,F)

更新时间： 2024-01-28 23:10:18
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 338K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

HN4C06J-BL(TE85L,F) 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：350JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：0.3 W
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

HN4C06J-BL(TE85L,F) 数据手册

 浏览型号HN4C06J-BL(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HN4C06J-BL(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HN4C06J-BL(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第4页 
HN4C06J  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
HN4C06J  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
z
z
z
High voltage : VCEO = 120V  
High hFE : hFE = 200 to 700  
Excellent hFE linearity  
: hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.)  
Low noise : NF = 1dB(typ.)  
z
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
(Q1, Q2 Common)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
120  
120  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
5
V
1.BASE1  
2.EMITTER  
3.BASE2  
4.COLLECTOR2 (C2)  
5.COLLECTOR1 (C1)  
(B1)  
(E)  
(B2)  
I
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
20  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P *  
300  
C
T
j
150  
T
−55 to 150  
JEDEC  
JEITA  
―
―
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
TOSHIBA  
2-3L1A  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
Weight: 0.014g(Typ.)  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*Total rating. Power dissipation per element should not exceed 200mW.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1,Q2 Common)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 120V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
I
―
V
V
V
―
―
―
―
―
0.1  
0.1  
700  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
I
―
= 5V, I = 0  
C
EBO  
h
―
= 6V, I = 2mA  
200  
FE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
―
―
―
I
= 10mA, I = 1mA  
―
―
―
―
0.3  
―
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= 6V, I = 1mA  
100  
3.0  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
―
ob  
E
= 6 V, I = 0.1 mA  
C
Noise figure  
NF  
⎯
―
1.0  
―
dB  
f = 1 kHz, R = 10 kΩ  
G
Note:hFE Classification GR(G): 200 to 400, BL (L): 350 to 700  
( ) Marking Symbol.  
Marking  
Equivalent Circuit (Top View)  
Type Name  
Rank  
5
4
h
FE  
Q2  
Q1  
DG  
Start of commercial production  
2000-03  
2
3
1
1
2014-03-01  
1234

中文翻译

下载PDF

与HN4C06J-BL(TE85L,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HN4C06JGR TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN,
HN4C06J-GR TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN,
HN4C06J-GR(TE85L,F TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
HN4C08J TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 800 mA, 25 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN,
HN4C08J(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		HN4C08J(TE85L)
HN4C51J TOSHIBA

获取价格

 		Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
HN4C51J(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		HN4C51J(TE85L)
HN4D01JU TOSHIBA

获取价格

 		Ultra High Speed Switching Applications
HN4D01JU(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		COMMON ANODE DIODE ARRAY,SOT-353
HN4D01JU(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		COMMON ANODE DIODE ARRAY,SOT-353

与HN4C06J-BL(TE85L,F)相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证