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HN4C51J(TE85L)

更新时间： 2024-09-25 19:57:43
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东芝 - TOSHIBA /
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描述
HN4C51J(TE85L)

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HN4C51J(TE85L) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Base Number Matches：1

HN4C51J(TE85L) 数据手册

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HN4C51J  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
HN4C51J  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
z
z
z
High voltage : VCEO = 120V  
High hFE : hFE = 200~700  
Excellent hFE linearity  
: hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.)  
Low noise : NF = 1dB(typ.)  
z
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
(Q1, Q2 Common)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
120  
120  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
5
V
1.EMITTER1  
2.BASE  
3.EMITTER2  
4.COLLECTOR2 (C2)  
5.COLLECTOR1 (C1)  
(E1)  
(B)  
(E2)  
I
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
20  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P *  
300  
C
T
j
150  
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
−55~150  
stg  
TOSHIBA  
2-3L1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.014g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*
Total rating. Power dissipation per element should not exceed 200mW.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1,Q2 Common)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 120V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
―
V
V
V
―
―
―
―
0.1  
0.1  
700  
0.3  
―
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
I
―
= 5V, I = 0  
C
EBO  
DC current gain  
h
―
―
―
―
= 6V, I = 2mA  
200  
―
―
FE  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
C
= 10mA, I = 1mA  
―
V
B
f
V
V
V
= 6V, I = 1mA  
―
100  
3.0  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
―
―
ob  
E
= 6 V, I = 0.1 mA  
C
Noise figure  
NF  
―
―
1.0  
―
dB  
f = 1 kHz, R = 10 kΩ  
G
Marking  
Equivalent Circuit (Top View)  
4
5
Q1  
Q2  
33  
2
3
1
1
2007-11-01  
1234

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