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HN4C08J

更新时间： 2024-09-25 21:11:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 109K
描述
TRANSISTOR 800 mA, 25 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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HN4C08J 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：2-3L1A, SMV, 5 PIN
针数：5Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

HN4C08J 数据手册

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HN4C08J  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
HN4C08J  
Low Frequency Power Amplifer Applications  
Unit: mm  
Power Switching Application  
ꢀ
ꢀ
High DC Current Gain : hFE = 100~320  
Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.4V (Max.)  
: (IC = 500mA , IB = 20mA)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
30  
25  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
1.BASE1  
2.EMITTER  
3.BASE2  
4.COLLECTOR2 (C2)  
5.COLLECTOR1 (C1)  
(B1)  
(E)  
(B2)  
5
V
I
800  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
160  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P *  
300  
C
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
j
150  
T
−55~150  
TOSHIBA  
2-3L1A  
stg  
Weight: 0.014g(Typ.)  
*Total rating. Power dissipation per element should not exceed 200mW.  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25°C) (Q1,Q2 Common)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 30V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
―
V
V
―
―
―
―
―
―
―
0.1  
0.1  
―
µA  
µA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
―
= 5V, I = 0  
C
EBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
V
V
―
I
I
= 10mA, I = 0  
25  
5
(BR)CEO  
(BR)EBO  
C
E
B
―
= 0.1mA, I = 0  
―
V
C
h
h
―
―
V
V
= 1V, I = 100mA  
100  
320  
FE(1)  
CE  
CE  
C
DC current gain  
= 1V, I = 800mA  
40  
―
FE(2)  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
―
―
―
―
I
= 500mA, I = 20mA  
―
0.5  
―
―
―
0.4  
0.8  
―
V
V
CE (sat)  
C
B
V
BE  
V
V
V
= 1V, I = 10mA  
C
CE  
CE  
CB  
f
T
= 5V, I = 10mA  
120  
13  
MHz  
pF  
C
Collector output capacitance  
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
―
―
ob  
E
1
2004-03-11  
1234

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