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HN4C08J(TE85L)

更新时间： 2024-02-26 15:20:02
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东芝 - TOSHIBA /
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描述
HN4C08J(TE85L)

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HN4C08J(TE85L) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Base Number Matches：1

HN4C08J(TE85L) 数据手册

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HN4C08J  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
HN4C08J  
Low Frequency Power Amplifer Applications  
Unit: mm  
Power Switching Application  
z
z
High DC Current Gain : hFE = 100~320  
Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.4V (Max.)  
: (IC = 500mA , IB = 20mA)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
(Q1, Q2 Common)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
30  
25  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
1.BASE1  
2.EMITTER  
3.BASE2  
4.COLLECTOR2 (C2)  
5.COLLECTOR1 (C1)  
(B1)  
(E)  
(B2)  
5
V
I
800  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
160  
B
JEDEC  
JEITA  
―
―
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P *  
300  
C
T
j
150  
TOSHIBA  
2-3L1A  
T
−55~150  
Weight: 0.014g (typ.)  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*Total rating. Power dissipation per element should not exceed 200mW.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1,Q2 Common)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 30V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
―
V
V
―
―
―
―
―
―
―
0.1  
0.1  
―
μA  
μA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
―
= 5V, I = 0  
C
EBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
V
V
―
I
C
I
E
= 10mA, I = 0  
25  
5
(BR)CEO  
(BR)EBO  
B
―
= 0.1mA, I = 0  
―
V
C
h
h
―
―
V
V
= 1V, I = 100mA  
100  
320  
FE(1)  
FE(2)  
CE  
CE  
C
DC current gain  
= 1V, I = 800mA  
40  
―
C
Collector-emitter saturation voltage  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
―
―
―
―
I
= 500mA, I = 20mA  
―
0.5  
―
―
―
0.4  
0.8  
―
V
V
CE (sat)  
C
B
V
V
V
V
= 1V, I = 10mA  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
= 5V, I = 10mA  
120  
13  
MHz  
pF  
T
C
Collector output capacitance  
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
―
―
ob  
E
1
2007-11-01  
1234

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