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HN4B102J(TE85L,F)

更新时间： 2024-02-04 21:25:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 219K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

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HN4B102J(TE85L,F) 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code：unknownFactory Lead Time：12 weeks
风险等级：5.75Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1309065
Samacsys Pin Count：5Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：SMV
Samacsys Released Date：2018-07-03 11:07:18Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G5元件数量：2
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN AND PNP
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：0.14 V
Base Number Matches：1

HN4B102J(TE85L,F) 数据手册

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HN4B102J  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
HN4B102J  
MOS Gate Drive Applications  
Switching Applications  
Unit: mm  
ꢀꢀ+0.2  
2.8 -0.3  
•
•
Small footprint due to a small and thin package  
ꢀꢀ+0.2  
1.6 -0.1  
High DC current gain  
: PNP  
: NPN  
h
= 200 to 500 (I =－0.2 A)  
FE C  
h
= 200 to 500 (I = 0.2 A)  
C
FE  
1
2
3
5
4
•
•
Low collector-emitter saturation : PNP  
: NPN  
V
=－0.20 V (max)  
CE (sat)  
V
= 0.14 V (max)  
CE (sat)  
High-speed switching  
: PNP t = 40 ns (typ.)  
f
: NPN t = 45 ns (typ.)  
f
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Rating  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
PNP  
−30  
−30  
−7  
NPN  
60  
1. Base  
2. Emitter  
3. Base  
4. Collector (Q2 NPN)  
5. Collector (Q1 PNP)  
(Q1 PNP)  
(Q1 PNP/Q2 NPN)  
(Q2 NPN)  
Collector-base voltage  
V
V
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
30  
7
JEDEC  
―
―
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
C
−1.8  
−8.0  
2.0  
8.0  
JEITA  
Collector current  
Base current  
A
I
CP  
TOSHIBA  
2-3L1A  
I
−0.5  
0.5  
A
B
Weight: 0.014g (typ.)  
Collector power  
dissipation (t = 10 s)  
Single-device  
operation  
P
P
(Note 2)  
(Note 2)  
1.1  
W
C
C
Collector power  
dissipation (DC)  
Single-device  
operation  
0.75  
150  
W
Junction temperature  
T
j
°C  
°C  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C during use of the device.  
Note 2: Mounted on an FR4 board (glass-epoxy; 1.6 mm thick; Cu area, 645 mm2)  
Note 3: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Figure 1 Circuit Configuration (top view)  
Figure 2 Marking  
５
４
Part No.  
(or abbreviation code)  
5 L  
１
Q1  
(PNP)  
２
３
Q2  
(NPN)  
Start of commercial production  
2007-02  
1
2013-11-01  
123456

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