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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> HN4B06J
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HN4B06J

更新时间： 2024-02-03 20:55:57
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 500K
描述
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

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HN4B06J 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.55
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

HN4B06J 数据手册

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HN4B06J  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
HN4B06J  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
Q1:  
z
z
z
High voltage : VCEO = −120V  
High hFE : hFE = 200~700  
Excellent hFE linearity  
: hFE (IC = −0.1mA) / hFE (IC =− 2mA) = 0.95 (typ.)  
Q2:  
z
High voltage : VCEO = 120V  
High hFE : hFE = 200~700  
Excellent hFE linearity  
z
z
: hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.)  
1.BASE1  
2.EMITTER  
3.BASE2  
(B1)  
(E)  
(B2)  
Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
4.COLLECTOR2 (C2)  
5.COLLECTOR1 (C1)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
−120  
−120  
−5  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
JEDEC  
JEITA  
―
―
V
TOSHIBA  
2-3L1A  
I
−100  
−20  
mA  
mA  
Weight: 0.014g (typ.)  
C
Marking  
Base current  
I
B
Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
45  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
120  
120  
5
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Equivalent Circuit (Top View)  
V
I
100  
20  
mA  
mA  
C
Base current  
I
B
5
4
Q1,Q2 Common Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Q2  
Q1  
Characteristic  
Symbol  
P *  
Rating  
Unit  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
300  
150  
mW  
°C  
C
T
j
2
3
1
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*
Total rating. Power dissipation per element should not exceed 200mW  
1
2007-11-01  
12345678

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