HN4B04J

更新时间： 2024-02-19 15:31:56

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东芝 - TOSHIBA		晶体放大器小信号双极晶体管开关光电二极管驱动
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描述
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching application

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HN4B04J 技术参数

生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.53	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

HN4B04J 数据手册

HN4B04J

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

HN4B04J

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

Unit: mm

Driver Stage Amplifier Applications

Switching application

Q1:

Excellent h_FElinearity

: h_FE(2)=25 (Min.) at V_CE= −6V I_C= −400mA

Q2:

Excellent h_FElinearity

: h_FE(2)=25 (Min.) at V_CE= 6V I_C= 400mA

1.BASE1

2.EMITTER

3.BASE2

(B1)

(E)

(B2)

Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

4.COLLECTOR2 (C2)

5.COLLECTOR1 (C1)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−35

−30

−5

CBO

CEO

EBO

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-3L1A

−500

Weight: 0.014g (typ.)

Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CBO

CEO

EBO

500

Q1,Q2 Common Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

P *

Rating

Unit

Collector power dissipation

Junction temperature

300

150

°C

Storage temperature range

stg

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

*Total rating. Power dissipation per element should not exceed 200mW.

2007-11-01

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