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HGTP20N36G3VL PDF预览

HGTP20N36G3VL

更新时间： 2024-11-25 22:13:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 254K
描述
20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs

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HGTP20N36G3VL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：37.7 A集电极-发射极最大电压：355 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR门极发射器阈值电压最大值：2.3 V
门极-发射极最大电压：10 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HGTP20N36G3VL 数据手册

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HGTP20N36G3VL,HGT1S20N36G3VLS,  
HGT1S20N36G3VL  
20A, 360V N-Channel,  
Logic Level, Voltage Clamping IGBTs  
March 2004  
Features  
Packages  
JEDEC TO-220AB  
• Logic Level Gate Drive  
• Internal Voltage Clamp  
• ESD Gate Protection  
• TJ = 175oC  
E
C
G
COLLECTOR  
(FLANGE)  
• Ignition Energy Capable  
JEDEC TO-263AB  
COLLECTOR  
Description  
This N-Channel IGBT is a MOS gated, logic level device which is  
intended to be used as an ignition coil driver in automotive ignition  
circuits. Unique features include an active voltage clamp between  
the collector and the gate which provides Self Clamped Inductive  
Switching (SCIS) capability in ignition circuits. Internal diodes pro-  
vide ESD protection for the logic level gate. Both a series resistor  
and a shunt resistor are provided in the gate circuit.  
(FLANGE)  
G
E
JEDEC TO-262AA  
E
C
G
COLLECTOR  
(FLANGE)  
PACKAGING  
PART NUMBER  
HGTP20N36G3VL  
HGT1S20N36G3VL  
HGT1S20N36G3VLS  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-262AA  
TO-263AB  
BRAND  
20N36GVL  
20N36GVL  
20N36GVL  
Symbol  
COLLECTOR  
The development type number for this device is TA49296.  
R1  
GATE  
R2  
EMITTER  
o
Absolute Maximum Ratings T = +25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HGTP20N36G3VL  
HGT1S20N36G3VL  
HGT1S20N36G3VLS  
UNITS  
Collector-Emitter Bkdn Voltage At 10mA, R = 1kΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BV  
395  
28  
37.7  
26  
V
V
A
GE  
CER  
Emitter-Collector Bkdn Voltage At 10mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BV  
ECS  
o
Collector Current Continuous At V = 5.0V, T = +25 C, Figure 7 . . . . . . . . . . . . . I  
GE  
C
C25  
o
At V = 5.0V, T = +100 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
A
GE  
C
C100  
Gate-Emitter-Voltage (Note). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±10  
21  
16  
500  
150  
1.0  
V
A
A
GES  
SCIS  
SCIS  
o
Inductive Switching Current At L = 2.3mH, T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
C
o
At L = 2.3mH, T = +150 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
C
o
Collector to Emitter Avalanche Energy At L = 2.3mH, T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . E  
Power Dissipation Total At T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Power Dissipation Derating T > +25 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
mJ  
W
C
AS  
o
C
D
o
o
W/ C  
C
o
Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T , T  
-40 to +175  
260  
6
C
C
J
STG  
o
Maximum Lead Temperature for Soldering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
Electrostatic Voltage at 100pF, 1500Ω . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ESD  
L
KV  
NOTE: May be exceeded if I is limited to 10mA.  
GEM  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGTP20N36G3VL, HGT1S20N36G3VL, HGT1S20N36G3VLS Rev. C1  
1234567

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