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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.58 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 17 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 180 ns | 标称接通时间 (ton)： | 17.5 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTP3N60A4D | FAIRCHILD |
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGTP3N60A4D | INTERSIL |
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGTP3N60A4D_NL | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE |
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| HGTP3N60A4D9A | FAIRCHILD |
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGTP3N60B3 | INTERSIL |
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7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs |
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| HGTP3N60B3 | ROCHESTER |
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7A, 600V, N-CHANNEL IGBT, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| HGTP3N60B3D | INTERSIL |
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7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGTP3N60C3 | INTERSIL |
获取价格 |
6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs |
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| HGTP3N60C3 | FAIRCHILD |
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6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs |
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| HGTP3N60C3D | HARRIS |
获取价格 |
6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
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