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H5MS5162DFR-L3M

更新时间： 2024-11-01 07:02:35

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H5MS5162DFR-L3M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA60,9X10,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	10 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X10,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

512Mbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x16 I/O

Specification of

512Mb (32Mx16bit) Mobile DDR SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 8,388,608 x16

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.3 / Apr. 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5MS5162EFR	HYNIX	获取价格	536,870,912-bit CMOS Low Power Double Data Rate Synchronous DRAM (Mobile DDR SDRAM)
H5N0301SM	ETC	获取价格
H5N1503P	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N1503P-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N1506P	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N1506P-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2001LD	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2001LD-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2001LM	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2001LMTL-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching