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H5N2004DS

更新时间： 2024-09-27 07:02:35

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
页数	文件大小	规格书
8页	91K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N2004DS 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.48 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

H5N2004DS 数据手册

H5N2004DL, H5N2004DS

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1103-0200

(Previous: ADE-208-1372)

Rev.2.00

Sep 07, 2005

Features

•

Low on-resistance: R _{DS (on)}= 0.38 Ω typ.

Low leakage current: I_DSS= 1 µA max (at V_DS= 200 V)

High speed switching: t_f= 10 ns typ (at V_GS= 10 V, V_DD= 100 V, I_D= 4 A)

Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at V_DD= 160 V, V_GS= 10 V, I_D= 8 A)

Avalanche ratings

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C

(Package name: DPAK (L)-(2) ) (Package name: DPAK (S) )

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

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H5N2004DS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDD7N20TM	ONSEMI	功能相似	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM， 200 V，5 A，690 mΩ，DPA
FDD6N20TM	ONSEMI	功能相似	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，200V，4.5A，800mΩ，DPAK
2SK214	RENESAS	功能相似	Silicon N Channel MOS FET

与H5N2004DS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5N2004DS-E	RENESAS	获取价格	8A, 200V, 0.48ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3
H5N2004DSTL-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2005D(L)-(2)	HITACHI	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,6A I(D),TO-251
H5N2005D(S)-(1)	HITACHI	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,6A I(D),TO-252AA
H5N2005D(S)-(3)	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
H5N2005DL	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2005DL	HITACHI	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2005DL-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2005DS	HITACHI	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2005DS	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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