5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> H5N2007FN-E
H5N2007FN-E PDF预览

H5N2007FN-E

更新时间： 2024-09-27 03:04:19
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 100K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

阅读下载

中文翻译

获取价格

H5N2007FN-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220FN包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A最大漏极电流 (ID)：25 A
最大漏源导通电阻：0.047 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

H5N2007FN-E 数据手册

 浏览型号H5N2007FN-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号H5N2007FN-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号H5N2007FN-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号H5N2007FN-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号H5N2007FN-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号H5N2007FN-E的Datasheet PDF文件第7页 
H5N2007FN  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G0370-0100Z  
Rev.1.00  
May.28.2004  
Features  
•
•
•
Low on-resistance  
Low leakage current  
High speed switching  
Outline  
TO-220FN  
D
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
G
S
1
2
3
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to Source voltage  
Gate to Source voltage  
Symbol  
Ratings  
Unit  
VDSS  
VGSS  
ID  
200  
±30  
25  
V
V
Drain current  
A
Note1  
Drain peak current  
ID (pulse)  
IDR  
100  
25  
A
Body-Drain diode reverse Drain current  
Body-Drain diode reverse Drain peak current  
Avalanche current  
A
Note1  
IDR (pulse)  
100  
9
A
Note3  
IAP  
A
Note3  
Avalanche energy  
EAR  
5.4  
30  
mJ  
W
°C/W  
°C  
°C  
Channel dissipation  
Pch Note2  
θch-c  
Tch  
Channel to case thermal impedance  
Channel temperature  
4.17  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%  
2. Value at Tc = 25°C  
3. STch = 25°C, Tch ≤ 150°C  
Rev.1.00, May.28.2004, page 1 of 7  
12345678

中文翻译

下载PDF

与H5N2007FN-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
H5N2008P RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2305PF RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching
H5N2305PF-E RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching
H5N2306PF RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2306PF-E RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2501LD RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2501LD_10 RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2501LD-E RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2501LM RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N2501LMTL-E RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

与H5N2007FN-E相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证