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H5N2005D(L)-(2)

更新时间： 2023-07-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
7页	33K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,6A I(D),TO-251

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H5N2005D(L)-(2) 数据手册

H5N2005DL, H5N2005DS

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-1373 (Z)

Target Specification 1st. Edition

Mar. 2001

Features

•

Low on-resistance

Low drive current

High speed switching

Outline

DPAK-2

H5N2005DS

1. Gate

H5N2005DL

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5N2005D(S)-(1)	HITACHI	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,6A I(D),TO-252AA
H5N2005D(S)-(3)	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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