是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.19 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.48 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e6 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 245 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 32 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SK216 | RENESAS |
功能相似 |
Silicon N Channel MOS FET | |
2SK214 | RENESAS |
功能相似 |
Silicon N Channel MOS FET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
H5N2004DSTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
H5N2005D(L)-(2) | HITACHI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,6A I(D),TO-251 | |
H5N2005D(S)-(1) | HITACHI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,6A I(D),TO-252AA | |
H5N2005D(S)-(3) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
H5N2005DL | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
H5N2005DL | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
H5N2005DL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
H5N2005DS | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
H5N2005DS | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
H5N2005DSTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |