H5N2501LD

更新时间： 2024-02-21 20:13:21

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N2501LD 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

H5N2501LD 数据手册

Preliminary Datasheet

H5N2501LD, H5N2501LS, H5N2501LM

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

R07DS0056EJ0300

(Previous: REJ03G1250-0200)

Rev.3.00

Jul 23, 2010

Features



Low on-resistance

R_DS(on)= 0.14  typ. (at I_D= 9 A, V_GS= 10 V, Ta = 25C)

Low leakage current



High speed switching

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004AE-A RENESAS Package code: PRSS0004AE-B RENESAS Package code: PRSS0004AE-C

(Package name LDPAK(L))

(Package name LDPAK(S)-(1))

(Package name LDPAK(S)-(2))

H5N2501LS

H5N2501LM

H5N2501LD

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to Source voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

250

30

Unit

Note1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

Body-Drain diode reverse Drain current

Avalanche current

I_DR

Note3

I_AP

Note3

Avalanche energy

E_AR

20.25

Channel dissipation

Pch ^Note2

ch-c

Tch

Channel to case thermal impedance

Channel temperature

1.67

150

C/W

C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW  10 s, duty cycle  1%

2. Value at Tc = 25C

3. STch = 25C, Tch  150C

R07DS0056EJ0300 Rev.3.00

Jul 23, 2010

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