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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.65 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5N2005DL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2005DS | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2005DS | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2005DSTL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2007FN | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2007FN-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2008P | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2305PF | RENESAS |
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Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching |
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| H5N2305PF-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching |
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| H5N2306PF | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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