H5N2501LM

更新时间： 2024-09-28 07:02:35

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关
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描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N2501LM 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

H5N2501LM 数据手册

H5N2501LD, H5N2501LS, H5N2501LM

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1250-0200

Rev.2.00

Jul.21,2005

Features

•

Low on-resistance

Low leakage current

High speed switching

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004AE-A RENESAS Package code: PRSS0004AE-B RENESAS Package code: PRSS0004AE-C

(Package name LDPAK(L))

(Package name LDPAK(S)-(1))

(Package name LDPAK(S)-(2))

H5N2501LS

H5N2501LM

H5N2501LD

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to Source voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

250

±30

Unit

Note1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

Body-Drain diode reverse Drain current

Avalanche current

I_DR

Note3

I_AP

Pch ^Note2

Channel dissipation

°C

Channel temperature

Tch

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

3. STch = 25°C, Tch ≤ 150°C

Rev.2.00, Jul.21.2005, page 1 of 4

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