H5N1503P-E

更新时间： 2024-09-26 03:41:03

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N1503P-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A	最大漏极电流 (ID)：	70 A
最大漏源导通电阻：	0.027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	210 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

H5N1503P-E 数据手册

H5N1503P

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G0186-0100Z

Rev.1.00

Mar.10.2004

Features

•

Low on-resistance

Low leakage current

High speed switching

Outline

TO-3P

1. Gate

2. Drain (Flange)

3. Source

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

150

Unit

Drain to Source voltage

Gate to Source voltage

Drain current

±30

Note1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

210

Body-Drain diode reverse Drain current

Avalanche current

I_DR

Note3

I_AP

Note3

Avalanche energy

E_AR

91.8

150

Channel dissipation

Pch ^Note2

θch-c

Tch

Channel to case thermal impedance

Channel temperature

Storage temperature

0.833

150

°C/W

°C

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

3. STch = 25°C, Tch ≤ 150°C

Rev.1.00, Mar.10.2004, page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

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