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H5N2004DL

更新时间: 2024-01-18 08:26:13
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 55K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

H5N2004DL 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Not Recommended包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.18
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):8 A最大漏源导通电阻:0.48 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):32 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

H5N2004DL 数据手册

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H5N2004DL, H5N2004DS  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-1372 (Z)  
1st. Edition  
Mar. 2001  
Features  
Low on-resistance: RDS(on) = 0.38 typ.  
Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 200 V)  
High speed switching: tf = 10 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 100 V, ID = 4 A)  
Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD = 160 V, VGS = 10 V, ID = 8 A)  
Avalanche ratings  
Outline  
DPAK-2  
4
4
D
1
2
3
G
H5N2004DS  
1
2
3
S
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
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