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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.042 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5N2004D(S)-(1) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| H5N2004D(S)-(3) | HITACHI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,8A I(D),TO-252AA |
|
| H5N2004DL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| H5N2004DL | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| H5N2004DL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| H5N2004DS | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| H5N2004DS | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| H5N2004DS-E | RENESAS |
获取价格 |
8A, 200V, 0.48ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
|
| H5N2004DSTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| H5N2005D(L)-(2) | HITACHI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,6A I(D),TO-251 |
|
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