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H5N2001LSTL-E

更新时间: 2024-02-27 22:12:49
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关ISM频段
页数 文件大小 规格书
8页 100K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

H5N2001LSTL-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:LDPAK(S)-(1)包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.38
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.125 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:20晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

H5N2001LSTL-E 数据手册

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H5N2001LD, H5N2001LS, H5N2001LM  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1339-0600  
Rev.6.00  
Jul 14, 2006  
Features  
Low on-resistance  
Low leakage current  
High speed switching  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK (S)-(1) )  
(Package name: LDPAK (L) )  
4
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
H5N2001LD  
H5N2001LS  
D
RENESAS Package code: PRSS0004AE-C  
(Package name: LDPAK (S)-(2) )  
4
G
1
2
3
S
H5N2001LM  
Rev.6.00 Jul 14, 2006 page 1 of 7  

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