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H5N0301SM

更新时间： 2024-01-21 04:12:45

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H5N0301SM 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.05 A	最大漏源导通电阻：	7.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

H5N0301SM

Silicon N Channel Power MOS FET

Power Switching

ADE-208-954 (Z)

1st. Edition

Dec. 2000

Features

•

Low on-resistance

Low drive current

High density mounting

2.5 V gate drive device

Outline

SMPAK

1. Source

2. Gate

3. Drain

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5N1503P	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N1503P-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N1506P	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
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