是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 2.13 |
其他特性: | UL APPROVED | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 3560 A | 集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | COMPLEX | JESD-30 代码: | R-PUFM-X9 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 3 |
端子数量: | 9 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 1320 ns | 标称接通时间 (ton): | 880 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FZ2400R12HE4P_B9 | INFINEON |
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TIM | |
FZ2400R12HP4 | INFINEON |
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IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 | |
FZ2400R12HP4_B9 | INFINEON |
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IHM-B module with soft-switching trench-IGBT4 | |
FZ2400R12HP4B9HOSA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 3550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 | |
FZ2400R12HP4B9NPSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 3550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 | |
FZ2400R12KE3 | EUPEC |
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IGBT-modules | |
FZ2400R12KE3_B9 | EUPEC |
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IGBT-modules | |
FZ2400R12KE3B9NOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 3200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 | |
FZ2400R12KL4C | ETC |
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IGBT Module | |
FZ2400R17HE4_B9 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |