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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.55 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 集电极-发射极最大电压： | 1700 V | 配置： | COMPLEX |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X9 | 元件数量： | 3 |
| 端子数量： | 9 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1800 ns | 标称接通时间 (ton)： | 665 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZ2400R17HP4B2BOSA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FZ2400R17HP4B9HOSA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |
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| FZ2400R17HP4HOSA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FZ2400R17KE3 | EUPEC |
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IGBT-modules |
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| FZ2400R17KE3_B2 | EUPEC |
获取价格 |
IGBT-modules |
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| FZ2400R17KE3_B9 | EUPEC |
获取价格 |
IGBT-modules |
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| FZ2400R17KE3NOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 3200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FZ2400R17KF6CB2 | ETC |
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IGBT Module |
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| FZ2400R17KF6CB2NOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FZ2400R33HE4 | INFINEON |
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200% PC |
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