Datasheet > FZ2400R17HP4B29BOSA1

FZ2400R17HP4B29BOSA1

更新时间： 2024-09-13 19:42:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	658K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

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FZ2400R17HP4B29BOSA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	外壳连接：	ISOLATED
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X9	元件数量：	3
端子数量：	9	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1800 ns	标称接通时间 (ton)：	665 ns
Base Number Matches：	1

FZ2400R17HP4B29BOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ2400R17HP4_B29

IHM-BꢀModulꢀmitꢀsoftꢀschaltendemꢀTrench-IGBT4

IHM-Bꢀmoduleꢀwithꢀsoft-switchingꢀTrench-IGBT4

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1700V

I_{C nom}= 2400A / I_CRM= 4800A

TypischeꢀAnwendungen

• AnwendungenꢀfürꢀResonanzꢀUmrichter

• Hochleistungsumrichter

• Traktionsumrichter

TypicalꢀApplications

• ResonantꢀInverterꢀAppliccations

• HighꢀPowerꢀConverters

• TractionꢀDrives

• Windgeneratoren

• WindꢀTurbines

ElektrischeꢀEigenschaften

ElectricalꢀFeatures

• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT_vjꢀop

• VerstärkteꢀDiodeꢀfürꢀRückspeisebetrieb

• NiedrigesꢀV_CEsat

• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀT_vjꢀop

• EnlargedꢀDiodeꢀforꢀregenerativeꢀoperation

• LowꢀV_CEsat

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation

• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische

• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling

Lastwechselfestigkeit

Capability

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken

• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit

• HoheꢀLeistungsdichte

• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances

• HighꢀPowerꢀandꢀThermalꢀCyclingꢀCapability

• HighꢀPowerꢀDensity

• IHMꢀBꢀGehäuse

• IHMꢀBꢀHousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀIB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.3

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FZ2400R17HP4B9HOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ2400R17HP4HOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ2400R17KE3	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
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