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FZ2400R17KE3_B9 PDF预览

FZ2400R17KE3_B9

更新时间： 2024-11-30 10:28:27
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EUPEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 267K
描述
IGBT-modules

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FZ2400R17KE3_B9 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：MODULE-9
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.55
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3450 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-XUFM-X9
元件数量：3端子数量：9
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1900 ns
标称接通时间 (ton)：900 nsBase Number Matches：1

FZ2400R17KE3_B9 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17KE3_B9  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1700  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
2400  
3450  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
4800  
14,0  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 2400 A, V•Š = 15 V  
I† = 2400 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,00 2,45  
2,40  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 96,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,2  
5,8  
28,0  
0,6  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
215  
7,00  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 0,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,65  
0,70  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 0,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,16  
0,20  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,30  
1,60  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,18  
0,30  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, L» = 50 nH  
R•ÓÒ = 0,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
420  
610  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 2400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, L» = 50 nH  
R•ÓËË = 0,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
630  
920  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlußverhalten  
SC data  
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V  
TÝÎ = 125°C, V†† = 1000 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
9600  
6,00  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
9,00 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2004-7-16  
revision: 2.1  
approved by: Christoph Lübke  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FZ2400R17KE3NOSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 3200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ2400R17KF6CB2 ETC

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 		IGBT Module
FZ2400R17KF6CB2NOSA1 INFINEON

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