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FZ2400R17KF6CB2

更新时间： 2024-09-14 23:53:19

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IGBT Module

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FZ2400R17KF6CB2 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ2400R17KF6C B2

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

1700

T_C= 80 °C

I_C,nom.

I_C

2400

3800

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

P_tot

V_GES

I_F

4800

19,2

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

+/- 20V

2400

4800

1500

Dauergleichstrom

DC forward current

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

I_FRM

tp = 1 ms

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

kA²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

typ. max.

Transistor / Transistor

_C= 2400A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,6

3,1

3,6

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 2400A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 190mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15V ... +15V

V_GE(th)

4,5

5,5

160

6,5

Gateladung

gate charge

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

I_CES

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

0,06

4,5

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

240

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: Alfons Wiesenthal

date of publication: 10.11.2000

approved by: Christoph Lübke; 10.11.2000

revision: serie

1(8)

FZ2400R17KF6C B2

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