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FZ2400R17KF6CB2NOSA1

更新时间： 2024-11-05 14:50:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
8页	636K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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FZ2400R17KF6CB2NOSA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

FZ2400R17KF6CB2NOSA1 数据手册

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FZ2400R17KF6C_B2

IHM-AꢀModulꢀmitꢀlowꢀlossꢀIGBT2ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ

IHM-AꢀmoduleꢀwithꢀlowꢀlossꢀIGBT2ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ

初步数据

PreliminaryꢀData

IGBT,ꢀ逆变器ꢀ/ꢀIGBT,Inverter

最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

集电极－发射极电压

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1700

V_CES

ꢀ

连续集电极直流电流

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

2400

3800

集电极重复峰值电流

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

4800

18,0

总功率损耗

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

ꢀ kW

栅极－发射极峰值电压

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/- 20

ꢀ

特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

集电极－发射极饱和电压

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 2400 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,60 3,10

3,10 3,60

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

栅极阈值电压

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 190 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

4,5

5,5

29,0

0,44

160

8,00

6,5

µC

Ω

栅极电荷

Gateꢀcharge

ꢀ

内部栅极电阻

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

输入电容

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

反向传输电容

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

集电极-发射极截止电流

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

0,06 4,5 mA

栅极-发射极漏电流

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

开通延迟时间(电感负载)

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 2400 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,30

ꢀ

µs

上升时间(电感负载)

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 2400 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,23

µs

t_r

t_{d off}

t_f

关断延迟时间(电感负载)

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 2400 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,50

µs

下降时间(电感负载)

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 2400 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,18

0,19

µs

开通损耗能量ꢀ(每脉冲)

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 2400 A, V_CE= 900 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

750

关断损耗能量ꢀ(每脉冲）

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 2400 A, V_CE= 900 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1050

ꢀ

短路数据

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

I_SC

ꢀ

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

9600

结－外壳热阻

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

7,00 K/kW

K/kW

外壳－散热器热阻

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

10,0

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

在开关状态下温度

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.2

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FZ24-2000	POWERVOLT	获取价格	CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER
FZ24R12K4	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ250R65KE3	INFINEON	获取价格	10.4kV isolation
FZ25A05KN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 25A I(C) \| MODULE-Q
FZ25A06KL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 600V V(BR)CES \| 25A I(C)
FZ25A10KN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 25A I(C) \| MODULE-Q
FZ25A12KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 25A I(C)
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