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FZ2400R17HP4B2BOSA2

更新时间： 2024-09-13 21:14:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	558K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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FZ2400R17HP4B2BOSA2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	Reach Compliance Code：	not_compliant
Factory Lead Time：	24 weeks	风险等级：	5.51
外壳连接：	ISOLATED	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	COMPLEX	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	7	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1810 ns	标称接通时间 (ton)：	930 ns
Base Number Matches：	1

FZ2400R17HP4B2BOSA2 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FZ2400R17HP4_B2

IHM-BꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiode

IHM-BꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiode

V_CES= 1700V

I_{C nom}= 2400A / I_CRM= 4800A

TypischeꢀAnwendungen

• AnwendungenꢀfürꢀResonanzꢀUmrichter

• Hochleistungsumrichter

• Traktionsumrichter

TypicalꢀApplications

• Resonantꢀinverterꢀapplications

• Highꢀpowerꢀconverters

• Tractionꢀdrives

• Windgeneratoren

• Windꢀturbines

ElektrischeꢀEigenschaften

ElectricalꢀFeatures

• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT_vjꢀop

• NiedrigesꢀV_CEsat

• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀT_vjꢀop

• LowꢀV_CEsat

• VerstärkteꢀDiodeꢀfürꢀRückspeisebetrieb

• Enlargedꢀdiodeꢀforꢀregenerativeꢀoperation

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation

• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische

• AlSiC base plate for increased thermal cycling

Lastwechselfestigkeit

capability

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken

• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit

• HoheꢀLeistungsdichte

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances

• Highꢀpowerꢀandꢀthermalꢀcyclingꢀcapability

• Highꢀpowerꢀdensity

• IHMꢀBꢀGehäuse

• IHMꢀBꢀhousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀIB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21

revision:ꢀV3.1

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...9

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与FZ2400R17HP4B2BOSA2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ2400R17HP4B9HOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ2400R17HP4HOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ2400R17KE3	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ2400R17KE3_B2	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ2400R17KE3_B9	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ2400R17KE3NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 3200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ2400R17KF6CB2	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ2400R17KF6CB2NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FZ2400R33HE4	INFINEON	获取价格	200% PC
FZ240R17KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.7KV V(BR)CES \| 240A I(C)

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