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FZ2400R17HP4B9HOSA2

更新时间： 2024-09-15 20:37:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
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描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

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FZ2400R17HP4B9HOSA2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	39 weeks
风险等级：	5.55	外壳连接：	ISOLATED
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	3	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1800 ns
标称接通时间 (ton)：	760 ns	Base Number Matches：	1

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ2400R17HP4_B9

IHM-BꢀModulꢀmitꢀsoftꢀschaltendemꢀTrench-IGBT4

IHM-Bꢀmoduleꢀwithꢀsoft-switchingꢀTrench-IGBT4

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1700V

I_{C nom}= 2400A / I_CRM= 4800A

TypischeꢀAnwendungen

• Hochleistungsumrichter

• Motorantriebe

TypicalꢀApplications

• HighꢀPowerꢀConverters

• MotorꢀDrives

ElektrischeꢀEigenschaften

• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT_vjꢀop

• NiedrigesꢀV_CEsat

ElectricalꢀFeatures

• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀT_vjꢀop

• LowꢀV_CEsat

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

MechanischeꢀEigenschaften

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken

• HoheꢀLeistungsdichte

MechanicalꢀFeatures

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances

• HighꢀPowerꢀDensity

• IHMꢀBꢀGehäuse

• IHMꢀBꢀHousing

• Kupferbodenplatte

• CopperꢀBaseꢀPlate

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀPL

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ2.2

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ2400R17HP4HOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ2400R17KE3	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ2400R17KE3_B2	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ2400R17KE3_B9	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ2400R17KE3NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 3200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ2400R17KF6CB2	ETC	获取价格	IGBT Module
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