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FZ2400R12KE3B9NOSA1

更新时间： 2024-09-13 14:50:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	618K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 3200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

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FZ2400R12KE3B9NOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.58
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3200 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X9	元件数量：	3
端子数量：	9	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1140 ns	标称接通时间 (ton)：	890 ns
Base Number Matches：	1

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FZ2400R12KE3_B9

初步数据

PreliminaryꢀData

IGBT,ꢀ逆变器ꢀ/ꢀIGBT,Inverter

最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

集电极－发射极电压

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Collector-emitterꢀvoltage

连续集电极直流电流

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

2400

3200

集电极重复峰值电流

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

4800

11,5

总功率损耗

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ kW

栅极－发射极峰值电压

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

集电极－发射极饱和电压

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 2400 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,70 2,15

2,00

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

栅极阈值电压

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 96,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,0

5,8

23,0

0,98

170

8,00

ꢀ

6,5

µC

Ω

栅极电荷

Gateꢀcharge

ꢀ

内部栅极电阻

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

输入电容

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

反向传输电容

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

集电极-发射极截止电流

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

栅极-发射极漏电流

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

开通延迟时间(电感负载)

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 2400 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,60

0,66

ꢀ

µs

上升时间(电感负载)

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 2400 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,22

0,23

µs

t_r

t_{d off}

t_f

关断延迟时间(电感负载)

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 2400 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,82

0,96

µs

下降时间(电感负载)

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 2400 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,15

0,18

µs

开通损耗能量ꢀ(每脉冲)

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 2400 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

490

380

关断损耗能量ꢀ(每脉冲）

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 2400 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

短路数据

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

9600

结－外壳热阻

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

T_{vj op}

ꢀ

11,0 K/kW

125 °C

在开关状态下温度

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

preparedꢀby:ꢀMB

approvedꢀby:ꢀCL

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7

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